随着第三代半导体,如SiC,AlN等材料的出现和发展,出现了新的测试难题.这种新的宽禁带半导体晶圆,在未进行掺杂之前的衬底阶段,其电阻率非常高,常规的无接触电阻测试方法,无法进行测试.而较常用的四探针电阻率测试仪,则用于整流效应的存在,探针与材料表面不能形成有限的欧姆接触,因此也无法测试.
德国Semimap公司推出的COREMA系列,可以完美测试第三代半导体晶圆的电阻率,因此得到广泛的使用.
测试实例
SiC晶圆
XY移动平台:150mmΧ150mm
上片方式:手动
探头高度调整:自动调整
真空载片盘:150mm直径,自带真空泵
遮光罩:测试区域配备阻光罩
移动速度: 最大每秒40mm
重定位精度: 10um
测量范围: 1e5 ohm-cm 到 1e12 ohm-cm
探头尺寸: 直径1mm
重复性:
1e6 Ohm-cm – 1e9 Ohm-cm, 测试数据偏差小于1%
去边距离: 标准5mm,最小2.5mm
电阻率测试时间: 单点,阻值在1e7 ohm-cm时,约为270ms,含平台移动1mm的时间
整片测试时间: 100mm直径,1mm测试间距情况下,约36分钟
