光谱反射椭偏仪

  • 产品型号:FilmTek™ 2000SE
  • 制造原厂:Scientific Computing International

在本征氧化物上具有0.03Å重复性的光谱椭偏仪

用于薄膜厚度测量的光谱椭偏仪

FilmTek™2000 SE台式测量系统为无图案薄至厚膜应用提供无与伦比的测量性能,多功能性和速度。它非常适合学术和研发环境。

FilmTek™2000 SE结合了光谱椭偏法和DUV多角度偏振反射法,可同时测量薄膜厚度,折射率和消光系数。

我们先进的旋转补偿器设计可在整个Δ(Δ)范围内实现精度和精度,包括接近0°和180°。当布鲁斯特条件附近不可能进行测量时,这可以实现最佳性能,这是精确测量硅或玻璃基底上非常薄的薄膜所必需的特性。

测量高效且简单。数以千计的波长在数秒内同时采集,集成的自动对焦功能消除了类似椭圆仪所需的手动样品对准的繁琐任务。

FilmTek™2000 SE是一款完全集成的软件包,与直观的材料建模软件配合使用,即使是要求最苛刻的测量任务也能简单可靠。FilmTek™软件包含完全用户可自定义的样品制图功能,可快速生成任何测量参数的2D和3D数据图。除用户定义的模式外,标准地图模式还包括极坐标,XY,rθ或线性。

主要特征:

  • 带旋转补偿器设计的光谱椭偏仪(300nm-1700nm)
  • 多角度,偏振光谱反射(240nm-1700nm)
  • 独立测量薄膜厚度和折射率
  • 带自动对焦的自动舞台
  • 测量超薄膜的理想选择(对原生氧化物的重复性为0.03?)
  • 各向异性测量(n x,n y,n z)的可选广义椭圆测量法(4×4矩阵泛化法

测量功能:

FilmTek™2000 SE结合SCI的广义材料模型和先进的全局优化算法,可同时测定:

  • 多层厚度
  • 折射率[n(λ)]
  • 消光(吸收)系数[k(λ)]
  • 能带隙[E g ]
  • 组成(例如,SiGe x中的%Ge,Ga x In 1-x As中的%Ga ,Al x Ga 1-x As中的%Al 等)
  • 表面粗糙度
  • 成分,空隙分数
  • 结晶度/非晶化(例如,多晶硅或GeSbTe膜的结晶度)
  • 电影渐变

 

应用

几乎所有半透明膜的厚度范围从1埃到约150微米都可以高精度测量。典型应用包括:

  • 半导体和介电材料
  • 多层光学镀膜
  • 光学增透膜
  • 电光材料
  • 计算机磁盘
  • 涂层玻璃
  • 薄金属
  • 太阳能电池

示例电影

  • SiO x
  • SiN x
  • DLC
  • SOG
  • 光刻胶
  • 薄金属
  • 的a-Si
  • 的aC:H
  • ITO
  • 多晶硅
  • 聚酰亚胺
  • 低k电介质薄膜

示例衬底

  • 所以我
  • SOS
  • 砷化镓
  • 磷化铟
  • 玻璃

 


技术规格
薄膜厚度范围:0到150μm
薄膜厚度准确度:NIST可追踪标准氧化物100Å到1μm的±1.0Å
光谱范围:240nm至1700nm(标准为240nm至1000nm)
测量点大小:3毫米
样本量:2mm至300mm(150mm标准)
光谱分辨率:0.3-2nm
光源:受控氘卤素灯(寿命2,000小时)
检测器类型:2048像素索尼线性CCD阵列/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(NIR)
自动对焦自动舞台300mm(标准200mm)
电脑:带有Windows™7操作系统的多核处理器
测量时间:〜2秒(例如氧化膜)

 

性能规格
电影(S)厚度测量参数精度(1σ)
氧化物/硅0-1000Åt0.03Å
1000-500,000?t0.005%
1000Åt,n0.2 / 0.0001
15,000Åt,n0.5 / 0.0001
150,000Åt,n1.5Å/0.00001
光刻胶/硅00-10,000Åt0.02%
00-10,000Åt,n0.05%/ 0.0002
氮化物/硅00-10,000Åt0.02%
00-10,000Åt,n0.05%/ 0.0005
多晶硅/氧化物/硅00-10,000ÅPoly,t Oxide0.2Å/ 0.1Å
00-10,000ÅPoly,t Oxide0.2 / 0.0005