MicroSense全新UltraMap C200测量系统使用快速准确的非接触式电容式传感器提供全晶圆，高速测量半导体材料。
MicroSense电容传感器技术
在生产环境中适用于刚线切好的硅片，研磨后的硅片，单面抛光片或双面抛光片的全高分辨率测量。
UltraMap C200系统既有低成本的台式系统，也有全自动分拣配置，最多可有六个卡夹。
覆盖范围：
•厚度
•TTV / TIR / LTV / LTIR
•Bow/Warp
快速，准确的测量
•产能90片晶圆/小时（尺寸为150mm的硅片）
•> 100,000个测量点
•0.05μm的TTV重复性
•2D和3Dmapping功能
友好的产线兼容性
•可测量刚线切的晶片，研磨片，和抛光片
•可适合非洁净室环境
•具自动校准功能
测量参数 | 精度1 | 1西格玛的重复性2 | 显示分辨率 |
厚度：中间，最小，最大，平均 | ± 0.10 μm | 0.05 μm | 10 nm |
整片平坦度 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
TTV | |||
TIR | |||
FPD | |||
局部平坦度3 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
局部厚度的变化(LTV) | |||
局部总指示读数(LTIR) | |||
局部焦平面的偏差(LFPD） | |||
Bow和Warp | 0.5 μm + 读数的0.5% | 10 nm | |
Bow | |||
Warp | |||
Sori |
1精度是对已知的标准值。多重C200计量系统将与之精度相匹配的规格。
2 基于10次传递，晶圆加载和卸载进行1西格玛规格的重复性实验。
3 LTV = SBIR, LTIR = SFQR, LFPD = SFQD
硅片规格 | 系统配置 |
直径：50mm，100mm，150mm，200mm 直径公差：±0.5mm 厚度范围：300至1400um 动态范围： 厚度：±50um 弯曲度/翘曲度：±250um 表面： 刚线切完的硅片，研磨片，及抛光片 基准点：平边或notch | 硅片传送：机械手臂 测量定位：精密空气轴承 预对准器：可选 OCR阅读器：可选 SECS / GEM：可选 卡夹：最多6个 校准：自动 可靠性（MTBF）：10,000 |
