可减少200mm晶圆测量时间 - 行业领先的1.25x高速吞吐量 - E ++等效模式下可处理每小时56片晶圆，具有全晶圆mapping和2mm边缘排阻
E模拟模式每小时处理90+片晶圆，3mm边缘排除
纳米级分辨率，双探头MicroSense电容测量系统，可根据SEMI标准实现高灵敏度和高重复性测量
每200mm晶圆可测量超过200,000个数据点
机器全自动自动校准 - 每班次可测量更多晶圆
专为可靠性和长期支持性而设计 - UltraMap具有现代化的高可靠性系统设计，具有直接驱动精密空气轴承rtheta晶圆台和在Windows计算机上可运行的软件。
非接触200 mm精密空气轴承rtheta台
双臂机器手臂和预对准器
可调3点晶圆支架
盒式分类; 5个卡匣（2进3出）
集成光幕安全系统
可选SECS / GEM界面
可选低或高或两者兼有的电阻率
可选P / N型传感器
双面SEMI标准电容测量
2mm去边距离
完全可编程的测量路径，包括传统系统的仿真。 1.9mm标准测量环间距。
精度 | 重复性 | 绝对范围 | |
厚度 | ±0.25μm | 0.06μm | 标称厚度为 ±150μm |
全球平坦度 | ±0.06μm | 0.02μm | |
位置点平坦度 | ±0.06μm | 位置点的90%：0.011μm | |
位置点的90%：0.025μm | |||
形状（Bow/Warp） | ±(1.5 +读数的 3%) μm | ±(0.5 + 读数的1%) μm | ±150 μm |
晶圆属性：
材料硅晶圆 - 蚀刻，研磨或抛光
晶圆直径200mm（可选150mm）
晶圆厚度300μm至1200μm
Notch，平边（主/次）支持最多每片立昂个SEMI标准
边缘排除可调节;距晶圆边缘最多2毫米
数据密度和吞吐量：
数据点的数量，200mm晶圆全晶圆图大于200,000
系统吞吐量 - 2mm留边：56每小时200毫米晶圆，全晶圆扫描
系统吞吐量 - E仿真模式，3mm留边：每小时90 + 200毫米晶圆，全晶圆扫描
选项 - 电阻率测量
低量程模块 - 测量范围0.001 - 0.999欧姆 - 厘米
高量程模块 - 测量范围为0.2 - 199.9欧姆 - 厘米
电阻率量具配置 - 低，高或两者
P / N型传感器 - 可选非晶圆P型或N型非接触检测
硅片分选和卡夹
排序标准可配置排序，多种分选选项
卡夹数量5个 – 标准机型2进，3出
晶圆测量
晶圆厚度全晶圆扫描，5点或中心点
形状鞠躬/ Warp / SORI使用3点或最适合参考
全球平坦度SEMI GBIR，TIR，FPD，FPD％，5点TTV
场地平整度SFQR / SFQD，SBIR / SBID和所有SEMI M1标准，具有8-30毫米的场地尺寸和可变的偏移量
选项
电阻率计（低电平或两者都有），P / N型传感器，边缘夹持末端执行器和边缘夹持预对准器，SECS / GEM接口，用于非常高分辨率晶片的光学退火
机器认证SEMI S2，CE
